DARPA资助研发新型非侵入式脑机接口,可将联想学习能力提升40%

2017-10-25  美国 来源:国防科技要闻 领域:生物

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据国防科技要闻10月25日消息,在美国防部高级研究计划局(DARPA)“重建主动记忆”项目(RAM)的资助下,HRL实验室与加拿大麦吉尔大学以及纽约Soterix医疗的研究人员确认,“非侵入性经颅直流电刺激”(tDCS)可以提高人类的联想性学习能力。在实验中,头上佩带了tDCS装置的恒河猴能用更少的尝试次数学会完成同样的任务,效率增加约40%。研究人员表示,目前正寻求美国食品药品监督管理局(FDA)核准该设备应用,预计在未来5-10年内广泛推广。

消息来源:http://www.dsti.net/Information/News/106994