三星开发出世界最小DRAM芯片，速度比上一代提升10%
2017-12-25 韩国
来源：战略前沿技术
领域：先进制造
关键词：
据战略前沿技术12月22日消息，韩国三星电子公司开发出世界上最小的DRAM芯片。该DRAM芯片采用了第二代10纳米工艺，和第一代10纳米级工艺相比，其产能提高了30%，同时比第一代芯片快10%，功耗降低15%。这款芯片将用于高端数据处理设施，如云计算中心、移动设备和高速显卡等。
资料来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ig0TPmVfkzpK0vgnS74Z3Q
