2018-03-06 韩国 来源:全球半导体观察 领域:信息
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据全球半导体观察3月5日消息,三星确认在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂,用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。目前,这座新工厂已经开始建设,投资额已达30万亿韩元(约27.6亿美元)。根据规划,三星的这座新工厂将会在2019年年底完工。未来,新工厂将会拥有同时生产DRAM、NAND Flash快闪存储器的能力。
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