据新浪科技4月10日消息，复旦大学科研团队实现了二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的问题。据悉，该存储技术在满足10纳秒写入数据速度的同时，还可按需定制数据保存时间（10秒-10年），其在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域将发挥重要作用。

http://tech.sina.com.cn/it/2018-04-10/doc-ifyuwqez7879981.shtml