据Eurekalert网站7月3日消息，日本东京工业大学研究人员开发出p型和n型都具备高载流子迁移率的氮化铜(Cu3N)半导体，有望实现环保、低成本薄膜光伏电池。研究人员采用氨和氧化性气体，成功开发出大面积、高质量的氮化铜半导体，可用于替代）碲化镉和铜铟镓硒等材料。相关研究成果发表于《Advanced Materials》杂志。

https://www.eurekalert.org/pub_releases/2018-07/tiot-hpn070318.php