据ScienceDaily网站7月19日消息，加州大学洛杉矶分校研究人员开发出具有高导热率的无缺陷砷化硼半导体材料，其导热速度比现有材料（碳化硅和铜）快3倍，可高效地吸收和散发热量。研究人员表示，该材料有助于大幅提升半导体器件性能，减少从小型电子设备到大型数据中心的能源需求。该材料有望取代现有的计算机半导体材料，并彻底改变电子行业。相关研究成果发表于《Science》杂志。

https://www.sciencedaily.com/releases/2018/07/180719094427.htm