据EurekAlert网站8月23日消息，美国明尼苏达大学研究人员首次利用溅射工艺制备拓扑绝缘体硒化铋（Bi2Se3），有助于该材料在半导体和磁性工业中的大规模应用。经溅射工艺后，拓扑绝缘体硒化铋的晶粒尺寸仅有6纳米，产生了新的物理性质。测试结果表明，与现有材料相比，拓扑绝缘体硒化铋将计算机的处理和存储效率提高了18倍。

https://www.eurekalert.org/pub_releases/2018-08/uom-nmc082218.php