2015-10-02 美国 来源：网易科技 领域：新材料
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据网易科技10月2日消息，美国IBM公司成功使用新技术制作出9nm的晶体管，并且预计该技术可用于1.8nm的节点。IBM公司用钼元素材料来制作纳米通道两端的接触点，然后直接将这些接触点连至晶体管线的侧面，有效避免因晶体管尺度的缩小而引起的电阻增加。
资料来源：http://tech.163.com/15/1002/08/B4TL2MUB000915BF.html
