据材料科技在线11月3日消息，美国德克萨斯大学、伊利诺伊大学和休斯顿大学的科学家发现砷化硼单晶的热导率在室温下高达约1000瓦/（米×度），高于所有常见的半导体和金属，是目前散热材料碳化硅的三倍，甚至接近金刚石。研究人员采用改进的化学气相沉积（CVT）技术来生产高质量的砷化硼单晶，得到的产物基本没有晶界和缺陷。未来，该材料有望作为散热材料大规模应用于下一代电子和光热器件。

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