2019-03-14 中国 来源：科学网 领域：新材料
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据科学网3月14日消息，复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队经过3年努力，成功研发共形六方氮化硼修饰技术。随着半导体芯片的不断发展，运算速度越来越快，芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈，热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。六方氮化硼是一种理想的介电基底修饰材料，能够改善半导体和介电基底界面。研究人员开发的共形六方氮化硼修饰技术，可无需催化剂直接在二氧化硅/硅片、石英、蓝宝石、单晶硅等基底表面生长高质量六方氮化硼薄膜。在这项技术中，共形六方氮化硼是直接在材料表面生长的，不仅完全贴合、不留缝隙，还无需转移。研究人员表示，这项技术将从崭新的角度为解决芯片散热问题提供新思路。
