美国格芯公司宣布与新加坡南洋理工大学合作开发可变电阻式随机存取存储器
2019-10-29 美国
来源：CNBETA
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据cnBeta网10月29日消息，美国格芯公司宣布与新加坡南洋理工大学合作开发可变电阻式随机存取存储器（ReRAM）。该项目将耗时4年，耗资8800万美元。现有的嵌入式闪存和下一代磁阻随机存取存储器都存在各自的局限性。为此，研究人员希望能通过ReRAM进行替代。ReRAM依靠电流改变电介质材料上的电阻，从而实现数据的读写，具备性能稳定、适用温度范围广、寿命长等优点，若相关研究取得突破，将为快速非易失性大容量嵌入式缓存技术铺平道路。
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