据科技日报11月21日消息，美国密歇根大学研究人员在硅芯片上直接堆叠第二层晶体管，开发出可在高工作电压下运行的三维晶体管阵列。研究人员首先使用含锌和锡的溶液覆盖硅芯片，在后者表面制备均匀涂层，然后短暂烘烤使其干燥，经多次重复最终制成一层约75纳米厚的氧化锌膜。由氧化锌锡膜制成的薄膜晶体管，能够承受比硅芯片更高的工作电压，可解决硅芯片与触摸板、显示驱动器等组件工作电压不兼容的问题。为解决器件层之间的电压失配问题，研究人员采用顶部肖特基、底部欧姆的接触结构，使得基础硅芯片在高工作电压下仍可工作。研究人员表示，该技术有助于开发更紧凑、具有更多功能的芯片，并有望打破摩尔定律。相关研究成果发表于《自然·电子学》期刊。

http://digitalpaper.stdaily.com/http_www.kjrb.com/kjrb/html/2019-11/21/content_435214.htm?div=-1