美国特拉华大学开发出一款高电子迁移率晶体管

2019-11-29  美国 来源:IntelligentThings 领域:新材料

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据Intelligentthings公众号11月29日消息,美国特拉华大学研究人员创造出一款高电子迁移率晶体管,该器件将使无线通信系统设备的数据传输速度变得更快。该器件采用氮化镓以及氮化铟铝作为硅衬底上的屏障,可实现对电流的放大和控制。与同类设备相比,新型器件展现出许多创纪录的性能,包括历史最低纪录的栅漏电流、历史最高纪录的开/关电流比,以及历史最高纪录的电流增益截止频率。相关研究成果发表于《应用物理快报》期刊。

https://www.udel.edu/udaily/2019/november/yuping-zeng-record-setting-transistor/