据EurekAlert!网站12月9日消息，美国普渡大学研究人员采用二维铁电半导体材料硒化铟（In2Se3），开发出新型铁电半导体场效应晶体管（FeS-FET）。硒化铟在室温下具有明显的铁电特性，同时兼具良好的半导体性能，非常适于开发非易失性铁电存储器（FeRAM）。研究人员采用α-硒化铟代替常规半导体研制出FeS-FET晶体管，并对其性能进行测试。结果表明，FeS-FET晶体管具有高速、低功耗、高集成密度等优点，其性能与现有铁电场效应晶体管（FeFET）相当。研究人员表示，新型FeS-FET晶体管能够同时处理和存储数据，未来可用于模拟人脑神经网络。相关研究成果发表于《Nature Electronics》期刊。