美国能源部埃姆斯实验室发现振荡电场可改善拓扑绝缘体电子稳定性
2020-02-18 美国
来源：PHYS
领域：信息
关键词：
据PHYS网2月18日消息，美国能源部埃姆斯实验室研究人员发现振荡电场可改善拓扑绝缘体的电子稳定性。拓扑绝缘体表面电子与内部材料之间不受控制的相互作用会导致电子散射乱序，从而造成“拓扑故障”，且该现象不受材料自发对称性的约束。研究人员向材料施加太赫兹振荡电场，驱动周期性原子振动，从而使得拓扑绝缘体表面与内部的耦合达到动态稳定。相关成果可用于提升量子计算和量子通信的稳定性。
https://phys.org/news/2020-02-stability-fluctuation-topological-materials-outperform.html
