韩国科学技术学院开发出超低功耗黑磷隧道场效应晶体管
2020-02-25 韩国
来源：国防科技信息网
领域：信息
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据国防科技信息网2月25日消息，韩国科学技术学院研究人员开发出超低功耗黑磷隧道场效应晶体管(TFET)。该晶体管在高导通电流下具有极低的平均亚阈值摆幅，使得TFET能够像传统互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管一样快速工作，且开关功耗比传统CMOS晶体管低10倍，待机功耗低10000倍。该研究解决了隧道场效应晶体管运行速度和性能问题，有望为延续摩尔定律铺平道路。
http://www.dsti.net/Information/News/118301
