据物理学网1月31日消息，德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心（HZDR）研究人员开发出一种能够防止二维半导体材料氧化降解的新型封装技术。研究团队采用惰性的立方氮化硼（HBN）作为绝缘层，对仅有5-10个原子层的硒化镓二维半导体材料进行封装。为创建触点，研究团队采用无光刻触点技术在HBN箔上嵌入电极。结果表明，新型封装技术能够长时有效地保护二维半导体材料免遭降解和退化。相关研究成果发表于《ACS应用材料与界面》期刊。

https://phys.org/news/2020-01-encapsulation-technique-electronic-properties-sensitive.html