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台积电披露3纳米芯片制程工艺细节
2020-04-20
中国
来源：CNBETA
领域：信息
关键词：
据cnBeta网4月20日消息，台积电公司正式披露3纳米芯片制程工艺细节，其晶体管密度达到2.5亿每平方毫米，为7纳米制程工艺晶体管密度的3.6倍。在性能上，3纳米芯片较5纳米芯片性能提升7%，能耗提升15%。此外台积电还表示，3纳米工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年实现量产。
https://www.cnbeta.com/articles/tech/969239.htm
