据国防科技信息网5月21日消息，近年来，非接触式光辅助电化学刻蚀因其低成本、易实现等优点而得到广泛研究。然而，现有非接触式光辅助电化学刻蚀技术的刻蚀速度不能满足通孔制造工艺的需求。基于此，日本SCIOCS公司、法政大学、Koganei公司以及北海道大学通过采取提升过硫酸根离子溶液温度和254纳米波长紫外线照射等措施，将基于硫酸根氧化的氮化镓非接触式光辅助电化学蚀刻速度提高了10倍。

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