据TechXplore网6月1日消息，美国麻省理工学院研究人员证实，碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用。碳纳米场效应晶体管由微小的碳纳米管组合而成，体积比硅晶体管小100倍，且具备更高的能源效率，但一直以来都停留在实验室阶段，无法大规模量产。MIT研究人员对碳纳米管沉积制造技术进行优化，将碳纳米晶体管的制造速率提升了超过1100倍，同时降低了生产成本。此外，碳纳米晶体管还可以在室温下进行堆叠制造，从而制成多层芯片；而传统的硅晶体管需要在450-500度的高温下制造，无法进行堆叠制造。研究人员表示，下一个研究目标是在工业环境中利用碳纳米场效应晶体管构建不同类型的集成电路，并探索3D芯片可以提供的新功能。
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