据NewAtlas网6月2日消息，美国纽约州立大学布法罗分校研究人员开发出一种高效的超高压金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），可以极小的厚度承受极高的电压。MOSFET是专门设计用于处理大功率负载的一种开关元件，可用于大功率电子器件的控制。研究人员使用氧化镓材料构建这种晶体管，使其能够在测试环境中承受8000伏特以上的电压，远高于碳化硅或氮化镓晶体管的承受极限。目前，研究人员正在对研究成果作出进一步完善，希望其可应用于电动汽车、电动飞机的控制。
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