据国防科技信息网6月5日消息，美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员研制出一种具有忆阻特性的射频开关，有望在太赫兹通信领域得到应用。射频电路通常需要在发射和接收两种状态下不断切换，其开关速度、导通电阻、截止阻抗等性能直接决定了其切换频率以及抗干扰能力。德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员将0.3纳米厚的六方氮化硼薄层夹在金电极之间，形成具有忆阻特性的开关。初始状态下，六方氮化硼层具有高阻抗，两电极之间不导通。通过对射频开关两极施加正反向高电压，可控制电极上的金原子进出六方氮化硼层的表面空隙，从而改变夹层导电性，控制开关通断。经测试，该忆阻特性开关的截止频率高达129太赫兹，可满足5G及6G的通信要求。
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