2020-07-07 韩国 来源：新材料在线 领域：新材料
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据新材料在线7月7日消息，韩国三星电子6日宣布，三星高级技术学院（SAIT）与蔚山国家科学技术学院（UNIST）、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼（a-BN）的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。研究人员成功制备了一种3nm厚的无定型氮化硼薄膜，该薄膜在100kHz和1MHz的工作频率下分别展示了1.78和1.16的超低介电性质，极度接近于空气和真空的介电值1，并且表现出了优异机械、高压稳定性。该工作成功证明了无定型氮化硼的低介电特点，有望用于高性能电子设备。
