据TechWeb网7月13日消息，台积电公司宣布在2纳米芯片制程取得重大突破，将以环绕式栅极(gate-all-around，简称GAA)技术为核心突破点。而在2纳米技术推出之前，台积电将发布3纳米制程工艺，与三星公司展开直接竞争。台积电的3纳米制程工艺仍将沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程。由此可以保证产品换代的成本不至于增长太多。
http://www.techweb.com.cn/world/2020-07-13/2796938.shtml
