据TechXplore网8月3日消息，英国萨里大学、剑桥大学和意大利国家研究院研究人员共同开发出源极门控晶体管（Source-gated transistor,SGT），有望替代薄膜晶体管（TFT）。TFT的源极和栅极处于绝缘层的同一侧，而SGT的源极和栅极分别位于绝缘层的两侧，因而能在单位面积内布置更多的晶体管。在验证实验中，研究人员使用2个SGT实现了以往12个TFT才能达到的性能。该研究有望使电子设备的尺寸继续缩小，应用于穿戴设备等紧凑级电子设备的制造。
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