2020-08-21 中国 来源：环球网 领域：新材料
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据环球网8月21日消息，沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部在化学气相沉积法生长非层状二维氮化钼的过程中，引入硅元素钝化其表面悬键，制备出一种不存在已知母体材料的全新二维范德华层状材料MoSi2N4，并获得了厘米级单层薄膜。研究发现，单层MoSi2N4具有半导体性质和优于MoS2的理论载流子迁移率，表现出优于MoS2等单层半导体材料的力学强度和稳定性。探索不存在已知三维母体材料的新型二维层状材料，可极大拓展二维材料的物性和应用，具有重要的科学意义和实用价值。
