据PHYS网8月14日消息，芬兰阿尔托大学研究人员开发出超高效率的黑硅光电探测器，其效率达到130％以上，首次超过100％的极限。此前，该极限被视为外部量子效率的理论最大值。当1个入射光子向外部电路产生1个电子时，设备的外部量子效率为100％。130％的效率意味着1个入射光子将产生大约1.3个电子。研究人员发现，效率的大幅提升来源于硅纳米结构内部由高能光子触发的电荷载流子倍增过程。在通过新设计减少光电损耗后，研究人员收集到的电子数量大幅提升。该研究成果有望提升汽车、手机、智能手表和医疗设备等装置中的光电探测器效率，改善设备性能。
https://phys.org/news/2020-08-black-silicon-photodetector-efficiency-limit.html
