据cnBeta网8月19日消息，韩国国立蔚山科学技术院（UNIST）研究人员开发出一种原子存储技术，有望大幅提高存储芯片容量。目前，业界拟将速度快、功耗低且非易失的铁电随机存取存储器（FeRAM）作为替代现有动态随机存取存储器或闪存的下一代存储半导体。但是，FeRAM的主要缺点之一是存储容量有限。为了增加其存储容量，有必要通过减小芯片尺寸来集成尽可能多的设备。物理尺寸的减小导致存储器极化现象的消失，使其丧失功能。UNIST研究人员发现，如果向二氧化铪（HfO2）铁电氧化物材料施加3-4伏电压，原子之间的相互作用会消失，从而可以通过控制4个单独的原子来存储1位数据。该研究将半导体存储器的存储密度提升至500太比特每平方厘米（Tbit/cm^2），是常规闪存芯片的1000倍，将有助于半导体设备尺寸进一步缩小。
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