据PHYS网8月24日消息，德国约翰内斯·开普勒大学、美国是德科技实验室、IBM研究中心和英国伦敦大学学院联合团队开发出一种纳米级成像技术，可用于观察细微结构。研究人员开发出一种称为“宽带静电力显微镜”的技术，利用测量探针与样品的静电相互作用，来表征样品表面静电势能、电荷分布以及电荷输运状况。与使用标准成像技术所收集的图像相比，该技术可以在更高的分辨率下采集图像，且其测量过程是非破坏性的，不会损坏被测物。凭借此成果，研究人员可以10纳米的分辨率，探测硅器件15纳米深度处的纳米结构和掺杂剂分布的定量信息，有助于确定硅器件中是否存在缺陷。
