据材料科学前沿3月18日消息，湖南大学和美国加州大学洛杉矶分校研究人员用激光烧蚀等技术在二维半导体原子晶体基底上定点制造缺陷阵列，金属纳米片在这些缺陷点成核能垒低，优先成核。控制超薄金属的生长条件，最终形成可控的超薄材料/原子级厚度半导体异质结阵列。范德华异质结可以将具有不同化学组成、晶体结构甚至晶格取向完全不同的材料组装在一起，产生不同于现有材料体系的独特电子或光子特性，使功能器件具有前所未有的功能，但其规模化精确控制合成一直是一大难题。此次研究成果极大地推动了范德华异质结半导体在高性能电子器件领域的实用化进程。相关研究成果发表于《自然》期刊。

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