据cnBeta网5月17日消息，台湾大学、台积电与美国麻省理工学院使用半金属铋（Bi）材料制作二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，促进更小芯片制程的开发。在这项工作中，麻省理工学院团队首先发现半金属铋（Bi）作为电极的可能性，随后台积电技术研究部门将铋沉积制程进行优化，台湾大学团队运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸。这项新技术的突破，将解决二维半导体进入产业界的主要问题，是集成电路能在后摩尔时代继续前进的重要技术。
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