据国防科技信息网5月17日消息，美国麻省理工学院加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司、台湾大学和沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学组成的联合研究团队攻克了二维沟道材料晶体管实用化关键难题。随着晶体管尺寸的持续缩小，其传导电流的通道越来越窄，需要不断采用高电子迁移率材料。二硫化钼等二维材料是理想的高电子迁移率材料，但将其与金属导线互联时在接触界面会形成肖特基势垒，这种现象会抑制电荷流动。研究团队证明，使用半金属铋并结合两种材料之间的适当排列，可以降低导线与器件的接触电阻从而消除该问题。该研究有望促进二维晶体管在更小的微芯片组件中的使用，使得摩尔定律可以进一步延续。
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