美国研发出新型太赫兹半导体激光器

2015-12-24  美国 来源:科技日报 领域:新材料

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据《科技日报》12月24日报道,加州大学洛杉矶分校科研人员利用新方法制造出太赫兹频率下工作的半导体激光器。研究人员将超材料表面和激光器结合起来,既可以使激光器在太赫兹频率范围输出更大的功率,还可以形成高质量的激光束,而且超材料的使用可以让科研人员对激光束进行进一步的设计。这一突破或将带来可用于太空探索、军事和执法等领域的新型强大激光器。

资料来源:http://www.wokeji.com/jbsj/eb/201512/t20151224_2078252.shtml​