据新材料快讯6月10日消息，日本国立材料科学研究所和东京工业大学发现，化合物Ca3SiO是一种直接带隙半导体，其由钙、硅和氧组成，生产成本低、无毒且具有应用于红外LED和红外探测器元件得潜力。研究人员计划以大型单晶的形式合成这些化合物，开发薄膜生长工艺，并通过掺杂和转化为固体溶液来控制其物理性质，从而开发出高强度红外LED和高灵敏度红外探测器。研究的最终目的是用无毒元素取代目前在近红外半导体中使用的有毒化学元素。

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