三星电子3纳米制程技术已成功流片

2021-06-30  韩国 来源:Techweb 领域:信息

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据TechWeb网6月30日消息,三星电子宣布其3纳米制程技术已经正式流片。据悉,三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极(Gate-all-around,GAA)晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公司采用了来自新思科技(Synopsys)的“融合设计平台”(Fusion Design Platform),加速了GAA晶体管的优化设计。
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