据今日新材料7月8日消息，北京大学研究人员通过改进提纯和双液相自组装沉积方法，制备了适合射频应用的半导体阵列碳纳米管材料，并在此基础上首次实现了有望在太赫兹频段工作的射频晶体管和高性能放大器，充分展现了碳管在射频电子学上的优势和潜力。该工作首次将碳纳米管射频器件的工作带宽提升至了太赫兹领域，真正展示了碳纳米管器件的高速和高带宽优势。相关研究成果发表于《自然·电子学》期刊。

资料来源：https://mp.weixin.qq.com/s/GGZVuoCCKy2PzVHhJjjr1Q