据TechXplore 8月10日消息，澳大利亚昆士兰大学、华东师范大学、上海微系统与信息技术研究所等机构研究人员证明，二维C₃N双层的带隙可以通过改变其叠加顺序或施加电场来实现。由于硅基晶体管在速度和性能方面正迅速接近其极限，因此碳基材料成为开发下一代电子产品的最有利候选材料之一，其中最有前途的一种碳基材料是石墨烯，但石墨烯没有带隙。研究人员发现C₃N双层具有较宽的带隙调谐范围，同时还表现出可控的开/关比、高载流子迁移率和光电检测能力，可为开发性能更好的C₃N器件铺平道路。相关研究成果发表在《自然·电子学》期刊上。

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