据材料科学前沿8月26日消息，韩国基础科学研究所（IBS）多维碳材料中心（CMCM）主任Rod Ruoff领导的一组研究人员，成功实现了没有褶皱或吸附层的大面积单晶石墨烯的生长和表征。研究人员在1000-1030K之间的生长温度范围内，使用乙烯作为碳前驱体在单晶Cu-Ni（111）合金箔（20.0at% Ni）上生产大面积、无褶皱、单晶单层石墨烯薄膜。大面积无褶皱薄膜允许在整个薄膜上以任何方向直接制造集成的高性能器件。相关研究成果发表在《自然》期刊上。

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