据cnBeta网11月2日消息，中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功合成新型碳基二维半导体材料。2014年，研究人员成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料，并发现该材料在电子注入后产生的铁磁长程序。C3N的成功合成弥补了石墨烯无禁带宽度的缺憾，为碳基纳米材料在微电子器件的应用提供了新的选择。研究人员于2016年初步实现堆垛双层C3N的制备。在此基础上，中科院与华东师范大学袁清红团队通过近5年努力，借助实验技术与理论研究，在双层C3N的带隙性质、输运性质等研究领域取得突破，进一步证明双层C3N在纳米电子学等领域的重要应用潜力。该工作证明了通过控制堆垛方式实现双层C3N从半导体到金属性转变的可行性，为进一步构建新型全碳微电子器件提供了支撑。

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