据通信世界网12月28日消息，中国国家信息光电子创新中心（NOEIC）、鹏城实验室、中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室及武汉光迅科技股份有限公司，在国内率先完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的联合研制和功能验证，实现了中国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越。目前，国际上400G光模块进入商用部署阶段，800G光模块样机研制和技术标准正在推进中。然而，1.6Tb/s光芯片在速率、集成度、封装技术等方面都具有极高挑战，国际上还没有明确和完善的解决方案。该工作实现了国内单片光互连速率和互连密度的最高水平，展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势，为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

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