据化合物半导体网5月13日消息，MACOM公司宣布研制出第四代硅衬底氮化镓技术。该技术能对2.7GHz的调制信号产生70%的峰值效率和19dB的增益，其性能接近于碳化硅衬底氮化镓技术，但量产成本则比碳化硅衬底氮化镓技术显著降低。该技术的功率密度能达到高压场效应管的4倍以上，将有望使氮化镓器件的每瓦成本降至高压场效应管的50%。

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