据cnbeta 4月15日消息，近日，俄罗斯政府宣布了新的半导体计划，该计划作为俄全新微电子开发计划的初步版本，预计到2030年投资3.19万亿卢布（约384.3亿美元）。该资金将用于开发本土半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本土人才培养及自制芯片和解决方案的市场推广。半导体制造方面，俄计划投资4200亿卢布（约50亿美元）开发新的制造工艺和后续改进。短期目标之一是在2022年底前使用90nm制造工艺提高本地芯片产量。更长期目标之一是到2030年实现28nm芯片工艺制造。基础设施方面，计划投资4600亿卢布（约55亿美元），到2030年全国数据中心预计由目前的70个增加到300个。此外，俄还计划在2022年底前建立一个针对“国外解决方案”的逆向工程项目，将相关制造转移到国内。据悉，该计划将于4月22日敲定并提交俄总理正式批复。

消息来源：https://www.cnbeta.com/articles/tech/1258731.htm