据中国新材料网2月25日消息，中国科学院半导体研究所杨涛课题组在InAsSb纳米线制备及机理研究方面取得进展。研究人员研究了Sb组分对纳米线生长的影响，同时发现在InAs纳米线生长过程中引入少量Sb，可以改善InAs纳米线的均匀性和晶体质量。该研究有利于制备单根高性能纳米线器件，为未来制备高度集成的III-V族纳米器件开拓了新的技术路线。

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