据Phys.org网10月11日消息，美国弗吉尼亚大学（University of Virginia）工程与应用科学学院的研究人员开发出一种材料系统，可将计算和内存元件放在一个芯片上。当计算机芯片与更大的存储库进行通信时，其会消耗能量向线路发送一个信号，距离越远，消耗的能量就越多。氧化铪（HfO₂）在化学上与硅相容，目前被用作互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中的高k（high-k）电介质。研究人员使用几种不同的技术来测量氧化铪薄膜中的氧空位并将其与铁电特性相关联，发现氧空位浓度比晶粒尺寸更重要，当对氧化铪材料施加电场时，其铁电特性会增加，之后会出现“疲劳”导致性能下降。研究人员下一步将继续研究氧空位的动态位置对铁电性能的影响，以设计出更稳定的氧化铪薄膜。相关研究成果发表在《材料学报》（Acta Materialia）期刊上。

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