据TechXplore网10月17日消息，中国北京大学和美国德克萨斯大学奥斯汀分校联合研究团队实现亚0.5nm电介质与2D半导体集成。研究人员使用一种名为紫外线辅助插层氧化的工艺来合成硒-铋氧化物二维材料，使其拥有高介电常数、超平坦的晶格匹配界面和出色的绝缘性。经测试，这种材料的等效氧化物厚度（EOT）低至0.41nm时，其在1伏特栅极电压下的漏电流仍处于超低水平，满足下一代晶体管电介质的工业要求。这表明，该新型材料有望用于开发二维晶体管中的超薄高介电常数栅极电介质，帮助实现晶体管的小型化。

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