据TechXplore网2月20日消息，韩国材料科学研究所（KIMS）研究人员开发出一种高密度和高可靠性的神经拟态半导体器件。研究人员使用一般半导体加工中使用的真空溅射沉积法生成超薄锂离子薄膜，并将其与二维纳米材料相结合，来形成厚度仅为几十纳米的神经拟态半导体器件。向薄膜器件施加电场时，其中的锂离子移动，从而可以精确控制沟道的电导率，模拟人脑中的突触。这种器件可以同时处理和存储信息，实现了人工神经网络学习模式，且能够在重复超过500次的实验中保持突触权重微调的特性，对手写字体识别测试的准确率约为96.77%。该研究有望拓展低功耗人工智能设备的研发与应用。

消息来源：https://techxplore.com/news/2023-02-neuromorphic-semiconductor-device-world-highest.htm