据OFweek网3月15日消息，中芯国际使用40nm工艺为Crossbar公司代工PRAM阻变式存储器芯片，正式进入下一代内存产业。Crossbar是全球PRAM内存产业中的领导者之一，与普通DRAM相比，PRAM内存不仅写入速度快30倍，寿命延长10倍，而且在断电时不会丢失数据，因此在未来可能替代内存和替代闪存。目前Intel、三星等公司都在积极投身PRAM内存研发。

资料来源：http://ee.ofweek.com/2016-03/ART-8470-2816-29076007.html