据TechXplore网3月8日消息，美国密歇根大学研究团队研发出新型晶体管，有望重构电子元器件形态。该研究团队通过在高电子迁移率晶体管（HEMT）中添加铁电研发出新型铁电高电子迁移率晶体管（FeHEMT），具有增益高、开关速度快和低噪声的优点。这种新型晶体管开辟了在同一平台上集成多功能设备的可能性，如可重构晶体管、滤波器和谐振器等，并能够在非常高的频率和高功率下运行。相关研究成果发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）杂志。

消息来源：https://techxplore.com/news/2023-03-kind-transistor-communications-devices-smartphones.html