据phys.org网3月16日消息，美国普渡大学（Purdue University）和肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员开发出一种n型掺杂透明有机导体（n-PBDF），该材料可作为氧化铟锡（ITO）的替代品。研究人员使用水、空气以及铜基催化剂进行氧化聚合和还原掺杂反应，制造出一种聚合物墨水，该聚合物在-20℃至65℃的温度下可在20天内保持稳定。研究人员将该聚合物进行优化并喷涂到表面上，制造出n型掺杂透明有机导体薄膜，表现出高导电性和高透射率，可作为具有高体积容量的电极材料替代氧化铟锡薄膜。相关研究成果发表在《美国化学学会杂志》（Journal of the American Chemical Society）上。

消息来源：https://phys.org/news/2023-03-cheaper-flexible-alternative-indium-tin.html