据中国科技网3月30日消息，美国南加州大学研究团队研发出新型高密度存储芯片，可应用于边缘人工智能。该研究团队将硅与金属氧化物忆阻器结合在一起，并使用原子的位置来表示信息，可稳定而紧凑地存储更多信息，同时，信息也可以在存储的地方进行处理，消除了当前计算系统中存在的“冯·诺依曼瓶颈”，从而制造出一款功能强大能耗很低的新型芯片。未来，该研究有望在便携式设备内实现强大的人工智能。相关研究成果发表在《自然》（Nature）杂志。

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